국내 반도체 업계의 차세대 초고속 D램의 개발 및 상용화가 잇따르고 있다.
현대전자(대표 김영환·金榮煥)는 24일 차세대 고속 메모리인 64메가 DDR(Double Data Rate) 싱크로너스 D램을 개발했다고 밝혔다.
이 제품은 기존 싱크로너스D램 제품보다 정보처리속도가 4배이상 빨라 1초에 200자 원고지 6만5,000장(신문 1,600장) 분량의 데이터를 전송할 수 있는 차세대 초고속 D램(사진)이다.
회로선폭이 0.22미크론(1㎛은 100만분의 1㎙)인 이 제품은 기존 64메가 싱크로너스 D램과 같은 공정을 사용함으로써 별도로 설비투자를 하지 않고서도 제품을 생산할 수 있다고 현대전자는 설명했다. 현대는 오는 99년 상반기부터 이 제품을 양산할 계획이다.
LG반도체(대표 구본준·具本俊)도 지난 6월 세계 최초로 개발한 다이렉트 램버스 D램을 개발한 엔지니어링 샘플을 인텔사에 공급, 성능테스를 통과한데 이어 굴지의 컴퓨터 업체인 미국의 델사로 부터 구매주문을 받았다고 밝혔다.
LG반도체는 이날 청주 공장에서 국내외 기관투자자들을 상대로 기술설명회를 갖고 다이렉트 램버스 D램을 인텔사에 공급한 결과 인텔이 내년초 선보일 450·500㎒급 중앙처리장치(CPU)와 결합해 시스템상 안정하다는 판정을 받았다고 설명했다.
구본준사장은 설명회에서 『인텔 테스트 통과 직후 미국의 델사로부터 구매주문을 받았다』며 『이는 다이렉트 램버스 D램이 상용화단계에 접어든 것을 의미한다』고 강조했다.
LG는 제품 성능에 대한 검증을 끝마침에 따라 내년부터 본격적인 양산에 들어갈 예정이다. 현재 메모리 주력제품인 싱크로너스 D램에 이은 차세대 고속메모리시장은 램버스D램, 싱크링크D램, DDR 등 3개 제품이 주도권을 다툴 것으로 예상되고 있다.【권구찬 기자】
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