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삼성전자는 세계 최초로 3차원 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용한 64GB 더블데이터레이트(4DDR4) 서버용 D램 모듈을 양산하기 시작했다고 27일 밝혔다.
TSV는 기존 와이어를 이용해 반도체 칩을 연결하는 방식이 아니라 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상·하단을 전극으로 연결하는 기술이다. D램 칩을 종이 두께 절반보다 얇게 깎은 뒤 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기법으로 기존 와이어(금선)를 이용한 방식에 비해 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다. 이번 모듈은 20나노급 4Gb D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품이다. 4Gb D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했다.
삼성전자는 이번 64GB 대용량 서버용 DDR4 모듈과 올 하반기 출시되는 글로벌 정보기술(IT) 업체들의 차세대 서버용 중앙처리장치(CPU)를 연계해 DDR4 신규시장을 적극 공략해나갈 예정이다. 특히 지난해 업계 최초로 3차원 V낸드플래시를 양산한 데 이어 DDR4 D램에 TSV 기술을 적용한 차세대 제품도 양산하게 되면서 3차원 메모리반도체 시대를 주도해나갈 계획이다. 3차원 V낸드 기술은 메모리 셀을 적층하는 기술인 데 비해 3차원 TSV 기술은 메모리 칩을 적층하는 기술이다.
백지호 삼성전자 메모리사업부 상무는 "앞으로 3차원 메모리 반도체 기술을 기반으로 차세대 라인업을 한발 앞서 출시해 글로벌 메모리시장이 지속 성장하는데 주도적인 역할을 할 것"이라고 말했다.
