황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장. 사진제공=삼성전자황상준 삼성전자(005930) 메모리사업부 D램 개발실장 부사장이 첨단 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM3E 고객사 샘플 공급을 시작할 것이라고 밝혔다. 차세대 제품인 HBM4도 2025년을 목표로 개발하고 있다고 언급했다.
황 부사장은 10일 삼성전자 뉴스룸에 올린 기고문을 통해 “삼성전자는 고객과 밀접히 협업해 인공지능(AI)·고성능 컴퓨팅(HPC) 생태계를 견인하고 있다”며 이같이 강조했다. 최근 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 SK하이닉스와 치열한 점유율 쟁탈전을 벌이고 있는 상황에서 최신 제품과 차세대 기술 개발에 대한 자신감을 내비친 것이다.
또한 황 부사장은 “HBM4 제품에 적용하기 위한 고온 열특성에 최적화된 비전도성접착필름(NCF) 조립 기술과 하이브리드 본딩(HCB) 기술도 준비 중”이라고 말했다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩 사이 공간을 완전히 없앤 뒤 바로 접합하는 기술로 현재 HBM 제조사들로부터 주목받는 신공정이다.
삼성전자는 이러한 기술 개발을 위해 올해 초 첨단 패키지 기술 강화 및 사업부 간 시너지를 극대화하기 위해 AVP(Advanced Package) 사업팀을 출범하는 등 총력을 기울이고 있다. 황 부사장은 “HBM과 함께 2.5차원, 3차원 첨단 패키지 솔루션을 포함한 첨단 맞춤형 턴키 패키징 서비스도 제공해 AI·HPC 시대에 최고의 솔루션을 선보일 계획”이라고 강조했다.
지난달 발표한 32기가비트(GB) DDR5 D램에 대해선 “비용 절감과 생산성 개선이 가능해졌으며, 소비 전력도 10% 개선할 수 있게 됐다”며 “이번 제품으로 최대 1테라바이트(TB) 모듈 구현이 가능해져 고용량을 필요로 하는 데이터센터뿐 아니라 향후 MRDIMM, CXL 등 차세대 메모리 솔루션에서도 사용될 수 있는 기반이 될 것”이라고 밝혔다.
메모리에 시스템반도체 연산 기능을 더한 PIM(프로세싱인메모리) 제품에 대한 기대감도 드러냈다. 황 부사장은 “HBM-PIM은 D램 내부에 데이터 연산 기능을 탑재해 메모리 대역폭의 병목 현상을 개선했고 음성 인식 등 특정 작업량에서 최대 12배의 성능 향상과 4배의 전력 효율을 달성했다”며 “최근에는 CXL 인터페이스를 사용하는 CXL D램에서 PIM 아키텍처를 구성하는 연구도 함께 진행하고 있다”고 설명했다.
황 부사장은 “초격차 DNA를 바탕으로 기술적 한계를 극복해 세상에 없는 다양한 메모리 솔루션 제품을 개발해 나갈 것”이라며 “D램 시장의 큰 변곡점이 될 10나노 이하 공정을 기반으로 AI 시대에 세상이 원하는 초고성능, 초고용량, 초저전력 메모리 제품을 제공할 계획”이라고 했다.
