09/17(목) 19:02
현대전자(대표 김영환)는 17일 차세대 메모리 반도체인 16기가(1기가는 10억분의 1) D램을 제작할 수 있는 초미세 회로형성기술을 세계 최초로 개발했다고 발표했다.
현대는 전자빔 노광(露光)장비(웨이퍼에 회로를 그리는 장비)를 이용해 반도체 회로선폭이 머리카락 두께의 1,000분의 1수준인 0.09(미크론(㎛·1미크론은 100분의 1m)급 초미세 회로형성 기술개발에 성공, 관련 기술 10건을 특허 출원했다고 덧붙였다.
회로형성기술은 회로가 그려진 마스크에 빛을 통과시켜 웨이퍼에 회로를 그려넣는 기술로 반도체 생산에 필요한 800여개의 공정기술중 핵심기술이다.
현대전자 선행기술연구소 백기호(白基鎬)박사는 『초미세 회로형성기술개발로 16기가 D램 개발기간을 2년정도 단축할 수 있게 됐다』며 『4기가 D램급 이상의 차세대 메모리 제조에 필요한 핵심기술을 확보했다는 점에서 의미가 있다』고 설명했다.
현대전자는 세계적인 반도체업체들이 전자빔 노광장비를 이용한 차세대 반도체 공정을 집중적으로 연구하고 있으나 제품개발에 직접 적용할 수 있는 0.09㎛급 회로기술 개발은 이번이 처음이라고 강조했다.【권구찬 기자】
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