삼성전자가 세계에서 처음으로 70나노급 D램 개발에 성공, 나노 D램 기술 부문에서 그랜드슬램을 달성했다. 삼성전자는 첨단 70나노(1나노=10억분의 1ｍ) 공정을 적용한 512메가 DDR2 D램개발에 성공했다고 13일 밝혔다. 삼성전자는 2001년 100나노, 2002년 90나노, 2003년 80나노에 이어 이번에 70나노급의 4세대 D램 공정기술을 세계 최초로 개발, 나노급 D램 기술분야 그랜드슬램을달성하게 됐다고 설명했다. 나노 기술은 통상 100나노 이하에서 물질을 조작하는 기술을 뜻하며 삼성전자가이번에 개발한 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1천400분의 1에 해당하는 초미세 반도체 제조 기술이다. 삼성전자는 지난해 중반부터 90나노공정을 적용한 D램 제품의 양산을 개시, 경쟁업체들에 비해 1년 이상 앞서 있으며이번 기술 개발을 통해 2세대 앞선 양산 기술력을 조기에 확보하게 됐다고 전했다. 삼성전자가 이번에 개발한 70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하고 있는 90나노 512메가 DDR2 제품 대비 생산성이 2배 높으며 1.8볼트 저전압 동작으로 PC를비롯한 컴퓨팅 시스템 뿐 아니라 각종 모바일 기기에 최적의 성능을 구현할 것으로회사측은 기대했다. 삼성전자의 경우 낸드플래시의 개발은 50나노 공정(올해 9월)까지 양산은 70나노 공정(올해 5월)까지 도달한 상태다. 이 제품은 2003년 6월 열린 세계적 권위의 반도체학회인 `VLSI'에서 발표한 'MIM (Metal-Insulator-Metal) 캐패시터 기술'과 올해 6월에 발표한 삼성전자 독자기술인 3차원 트랜지스터 제작 기술 'S-RCAT (Sphere shaped Recess Channel Array Transistor)'를 적용, D램의 미세화 수준과 데이터 저장 특성을 혁신적으로 개선했다. 삼성전자는 기존 90나노, 80나노 공정기술과의 기술 연속성을 유지, 70나노 제품 양산시 추가 투자를 대폭 줄일 수 있어 원가 경쟁력도 높일 수 있게 됐다. 삼성전자는 이번 70나노 D램 개발에 이어 차세대 D램 개발을 가속화함으로써 D램 부문에서도 업계와의 기술 격차를 더욱 벌려 나간다는 전략이다. 삼성전자는 현재 양산 중인 90나노급 D램에 이어 80나노 D램을 올 하반기, 이번에 개발한 70나노 512메가 D램은 내년 하반기부터 각각 양산에 돌입할 예정이며 향후 1기가, 2기가 D램까지 70나노 공정을 확대 적용, 대용량 D램 시장을 주도해 나갈계획이다. D램시장은 향후 새로운 차세대 게임기 출시, 3세대 휴대폰 비중 확대, MS의 `윈도 비스타' 등 신(新) PC 운영체제 출시 등에 힘입어 올해 265억 달러에서 2009년 374억달러 규모로 성장할 전망이다. (서울=연합뉴스) 송수경 기자