High-NA EUV 원리. /사진=서울경제
기존 0.33NA EUV 노광 장비 방식으로 마스크를 활용하면 큰 문제가 발생한다. 알파벳 M을 노광한다고 가정했을 때, 0.55NA 환경에서는 EUV 빛의 범위가 넓어지면서 입사 빔과 반사 빔이 충돌하는 현상이 벌어진다. /사진=서울경제
문제 해결을 위한 다양한 노력들. /사진=SPIE
High-NA 장비에서의 노광 방식. 예를 들어 알파벳 M을 노광한다고 가정하면, 빛은 가로만 찌그러뜨렸으니, 반대로 마스크 회로는 축소한 만큼 쭉 늘린다. 늘어난 회로를 6인치 마스크 한 장에 모두 담을 수는 없어 두 번에 나눠서 결과물을 이어붙인다. 각각 노광된 것을 이어 붙이면 ‘M’이 완성된다./사진=서울경제
ASML의 아나모픽 콘셉트. 빛 모양이 y축으로만 좁아졌기 때문에, 왼쪽 마스크(레티클)에 y축이 긴 직사각형 타일 모양 회로가 새겨졌더라도 웨이퍼에 찍히는 건 정사각형 타일 모양 회로가 될 수 있다. High-NA에서 마스크 배율은 x축은 기존 방식대로인 4배,y축만 기존 대비 2배인 8배를 적용한다. 자료=ASML
인텔은 초미세회로 결함을 발견할 수 있는 계측 장비가 필요하다고 강조했다. /자료=인텔, 2021 EUVL 워크샵 자료
해상력이냐, 피사계심도냐. 그것이 문제다. NA값이 커지면 해상력은 개선되지만, 피사계심도가 감소해 초점 맞춘 곳 외 영역이 흐려지는 문제가 발생한다. 포토레지스트 성능 개선 등으로 공정상수를 최대한 낮추는 것이 과제. ./사진=구글
조리개를 열수록 사진기가 빛을 많이 받으면서 감성 충만한 아웃포커스 사진(맨 왼쪽)을 건질 수 있다. 하지만 노광에서는 이것이 치명적 단점이 된다. 렌즈 크기가 커지며 해상력을 개선한 것은 좋지만, 아웃포커스 사진처럼 초점 맞은 곳 외에는 흐린 회로가 찍힐 수 있기 때문이다. /사진 제공=소니
