자료 출처/램리서치 SEDEX 2021 기조연설
마이크론, 어플라이드 머티어리얼즈, 램리서치, ASML 등 글로벌 반도체 업체 관계자나 회사가 주최한 컨퍼런스 참석자들이 최근 3D D램에 대해 다수 언급했습니다. 타 경쟁사와는 다르게, 페터르 베닝크 ASML CEO가 3D D램의 구현 가능성보다 하이-NA 노광 기술을 활용한 ‘스케일링(트랜지스터 축소)’이 더 유용할 것이라고 밝힌 점이 눈에 띕니다./자료=업계 취합
업계에서는 3D D램 양산 시점을 2025년 이후로 보고 있습니다./자료=어플라이드 머티어리얼즈
기존(왼쪽)에는 하나의 메모리 셀(1개 트랜지스터+1개 캐패시터) 수 억 개가 수직으로 붙어있었지만, 3D D램은 한 개 메모리 셀이 눕혀져서 차곡차곡 쌓이는 형태입니다./자료 제공=어플라이드 머티어리얼즈
삼성전자의 3D D램 개념도. 특허에는 ‘게이트-올-어라운드' 방식 트랜지스터도 언급돼 있습니다.
출처=마이크론 테크놀로지 특허 자료
실리콘으로 3D D램을 만들 때의 공정을 간략하게 요약한 그림. 실리콘 저마늄(SiGe)과 실리콘을 순서대로 성장시켜(에피택셜) SiGe를 제거한 다음, 원자층 증착과 절연막 형성 등으로 메모리를 완성하는 방법입니다. SiGe를 제거한 뒤 생긴 틈을 메우는(Gapfill) 고난도 공정, 미세한 틈을 선택적으로 증착하거나 식각하는 방법이 더 연구돼야 합니다./자료제공=시티증권
