삼성전자 DDR5 D램./사진제공=삼성전자
[강해령의 하이엔드 테크]
/사진 제공=어플라이드 머티어리얼즈, 삼성전자
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사진 출처: 삼성전자, SK하이닉스
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/사진 제공=삼성전자 IEEE 논문.
김기남 삼성전자 종합기술원 회장이 최근 발표한 IEDM 2021 논문에 실린 D램 로드맵. VCAT, 3D D램, EUV 등이 언급된 것이 눈에 띕니다. /사진 제공=김기남 회장 발표 자료.
배선과 주변회로부 트랜지스터 게이트의 변화도 눈여겨봐야 합니다. 앞으로 배선 분야에서는 저유전율 소재, 주변회로부에서는 HKMG 활용 여부가 관전 포인트입니다./사진 제공=어플라이드 머티어리얼즈
