김형섭 삼성전자 반도체연구소장이 세미콘 코리아 2022 전시회에서 ‘데이터 시대에 대응하는 실리콘 혁신’이라는 주제로 기조연설을 진행했습니다./사진제공=삼성전자
D램 셀의 커패시터(오른쪽 상단), 트랜지스터 구조 변화.
사진 제공=삼성전자
D램 셀 트랜지스터를 수직으로 적층한 모습(위 두번째 그림)과 아예 캐패시터를 없앤 ‘캡리스(capless)’ 콘셉트.
오른쪽 하단에서 주변회로부를 셀 아래로 배치한 COP(Cell on Peri), 공정 수율 향상을 위해 셀과 주변회로부 공정을 따로 진행해 패키징 하는 웨이퍼 본딩 방식도 소개됐습니다.
왼쪽 그림이 트랩층 소재 혁신을 설명한 슬라이드입니다. 오른쪽은 공정 불량 없이 더 좁고 깊게(고종횡비) 구멍을 파기 위한 소재 연구를 설명한 그림입니다.
배선을 이원화하는 인텔의 ‘파워 비아’ 기술. 왼쪽이 모든 배선이 위에 집중된 기존 구조이고, 오른쪽이 배선을 트랜지스터 아래쪽에도 설치한 파워 비아 기술입니다. 사진제공=인텔
GAA FET 이후 등장하는 ‘3D Integration(인테그레이션)’이 3D 소자 콘셉트입니다. 사진 제공=삼성전자
소니가 지난해 12월 발표한 2-레이어 픽셀 콘셉트. 픽셀 내 포토다이오드와 트랜지스터를 구분한 콘셉트가 김 부사장이 발표한 3D 스태킹 이미지센서와 유사합니다./사진제공=소니
선택적 증착 콘셉트. 검은색 A면과 특정 화학물질의 ‘케미스트리’로 빨강색 박막이 증착된 걸 보실 수 있습니다. 측면으로도 증착이 가능하다는 게 포인트입니다.
기존 증착(왼쪽 그림)에 비해 ‘선택적’ 증착(오른쪽 그림)은 원하는 곳(원통) 안에만 원하는 물질로만 꽉꽉 채워 넣을 수 있습니다. 배선 내 텅스텐 등 화학 물질을 채우는 공정으로 각광받고 있습니다.사진제공=어플라이드 머티어리얼즈
ALE 콘셉트. 원자 단위 초미세 식각을 할 수 있다는 장점이 있습니다.
