조 바이든(왼쪽부터) 미국 대통령, 윤석열 대통령, 이재용 삼성전자 부회장이 지난 20일 삼성전자 평택 3공장을 방문해 라인을 살피고 있습니다.
삼성전자 평택 캠퍼스. 사진=삼성전자, 연합뉴스
저마다 소속된 장비 회사를 대표해 설비 설명에 나선 엔지니어들. 연합뉴스
어플라이드 미국 제조 센터. 사진제공=어플라이드 유튜브 갈무리
CVD 원리. 눈송이처럼 반응 물질이 웨이퍼 위로 소복하게 쌓여 막을 형성합니다. 사진=어플라이드 유튜브 갈무리
기존 불화아르곤(ArF) 시대보다 EUV(왼쪽 아래) 시대 회로가 훨씬 미세하고 복잡합니다. 반도체 회사들은 회로가 계획대로 잘 깎일 수 있도록 감광액(포토 레지스트) 밑에 단단한 하드 마스크라는 막을 쌓는데요. 액체 몇 방울을 떨어트려 막을 만드는 흐물흐물한 ‘스핀온 하드마스크’보다 견고한 CVD 방식으로 만든 균일한 막이라면, 더 정확하게 회로를 깎아낼 수 있다는 게 포인트입니다. 초미세 회로 시대에서 정확도를 높이기 위해 액체 기반 ‘스핀온’ 방식에서 고도화한 CVD로 넘어가고 있다는 것을 보여주는 단적인 예입니다.
브라이트 필드와 다크필드의 불순물·불량 측정 방법. 빛의 움직임과 렌즈의 위치를 봐주시면 될 것 같습니다. 자료=KLA
램리서치 발안공장, 용인 R&D 센터 전경. 사진=서울경제, 램리서치
기존 증착(왼쪽)에 비해 ALD가 보라색 막을 더 균일하고 얇게 쌓는 모습입니다. 사진제공=램리서치 갈무리
윤석열(오른쪽) 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 20일 삼성전자 평택캠퍼스에서 삼성전자가 3나노 공정으로 만든 웨이퍼에 서명하고 있다. 연합뉴스
