SK하이닉스의 HBM3E. 사진제공=SK하이닉스
2026년 HBM4 양산 계획을 밝힌 SK하이닉스. SK하이닉스가 대역폭 확장을 위한 2K(2000개) 이상의 IO를 적용하겠다고 설명했습니다. 또한 HBM4 규격에 대한 JEDEC 협의가 막바지에 달한 것으로 알려집니다. 자료출처=SK하이닉스
HBM 안에서 정보들이 드나드는 1024개의 엘리베이터가 3년 뒤에는 2048개까지 늘어나는 HBM 규격이 채택될 것으로 보입니다. 이것을 먼저 구현하기 위한 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지 등 D램 메이커 간 경쟁이 치열해질 것으로 예상됩니다.
SK하이닉스는 13마이크로미터 간격으로 칩을 쌓는 기술을 개발했죠. 하이브리드 본딩이 구현되면 배선과 배선, 칩과 칩을 아예 포개어버리는 것을 구현할 수 있기 때문에 HBM의 두께를 상당히 혁신적으로 줄일 수 있습니다.
베시가 소개한 하이브리드 본더 장비. 사진제공=베시
12단에서 16단으로 바뀌더라도, 부피는 전작과 비슷해야 경쟁력이 생기기 때문에 때문에 칩 뒷면을 잘 갈아서 쌓는 것이 숙제입니다. 사진제공=AMD
CPU와 조화를 이룬 HBM의 위치 변화를 잘 살펴보면요. 현재 로직 반도체 바로 옆에서 2.5D 패키징된 HBM이 앞으로 로직 반도체 위로 올라갈 수도 있습니다. 이때 전력효율과 지연성이 각각 40%, 10%씩 개선된다는 건데요. 칩이 포개지면서 생기는 발열 이슈도 잘 잡아내야할 것이라는 관측이 나옵니다. 자료출처=삼성전자
