윤석열(오른쪽 네번째) 대통령과 이재용(왼쪽에서 세번째) 삼성전자 회장, 최태원(맨 오른쪽) SK그룹 회장이 지난 12일(현지 시간) 네덜란드 ASML 하이-NA 랩에서 EUV 차세대 노광 기기를 살펴봤습니다. 사진제공=대통령실
CO₂ 레이저와 주석 알갱이의 충돌로 생성된 EUV 빔이 웨이퍼로 달려가고 있습니다. 사진제공=ASML
ASML 본사 한 쪽 벽면에는 이 ‘레일리의 공식’이 아주 크게 적혀있습니다. CD는 Critical Dimension, 즉 한계 치수로 회로 폭을 뜻합니다. 사진제공=ASML
NA가 0.55로 변하면서 빛과 그것을 튕겨내는 미러 크기가 너무 커지면서 왜곡이 생겼습니다. 이걸 해결하기 위해 기존 반사 구조에서 투영계의 렌즈에 구멍을 뚫고 렌즈의 빛을 ‘티키타카’하는 초고난도의 기술도 구현됩니다. 자료=ASML
0.33NA에서 0.55NA로의 변화. 렌즈와 빛 크기가 비대해지면서 생기는 문제들을 공학 기술을 총동원해 해결했습니다. 사진제공=ASML
하이-NA 시대 광원 모양과 마스크의 변화. 사진=강해령의 하이엔드 테크 DB
ASML은 0.55NA를 넘어 0.75NA까지 생각하고 있습니다. 사진제공=ASML
