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삼성전자 8세대 236단 V낸드. 사진제공=삼성전자
저장 장치인 낸드플래시 구조입니다. 높다랗게 쌓은 막을 관통하는 ‘채널홀’ 식각이 낸드플래시 공정의 백미이자 고난도 기술입니다. 되도록이면 한방에 많은 층을 뚫는 기술 개발이 낸드 엔지니어들에게 주어진 미션이죠. 사진제공=삼성전자
도쿄일렉트론 플라즈마 식각 장비 속에서는 이런 일이 일어납니다. 고주파(RF) 전원이 공급해 식각 공간(챔버)에 주입된 가스를 플라즈마화하고, 여기서 발생한 양이온은 웨이퍼로 돌격해 깎아내야할 타깃을 ‘식각’하는 임무를 수행합니다. 이온의 공격적인 움직임은 고종횡비(높이/밑변), 즉 웨이퍼에 좁고 깊은 회로 구멍을 파는 데 중요한 역할을 하죠. 사진제공=TEL, MKS, 구글
아킹현상. 사진출처=구글
도쿄일렉트론의 식각 장비. 사진제공=TEL
