7조 규모 美 반도체 R&D 프로젝트…삼성 이어 하이닉스 합류
장비 1위 어플라이드 주도
EPIC센터 창립멤버 참여
실밸서 메모리 개발 시너지
수정 2026-03-11 10:29
입력 2026-03-11 09:56
글로벌 1위 반도체 장비 업체 주도로 미국 실리콘밸리에 최대 7조 원 규모의 반도체 연구개발(R&D) 인프라를 짓는 대형 프로젝트에 SK하이닉스(000660)가 참여한다. 최근 삼성전자에 이어 SK하이닉스까지 국내 양대 반도체 기업 모두 프로젝트의 핵심 역할을 맡으며 미국 빅테크와의 협력과 신기술 개발에 속도를 낸다.
11일 업계에 따르면 곽노정 SK하이닉스 사장과 프라부 라자 어플라이드 머티어리얼즈 반도체 제품 그룹 사장은 최근 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 개발과 도입을 가속화하기 위한 장기 협력 계약을 체결했다. 이를 통해 SK하이닉스는 어플라이드 머티어리얼즈가 주도하는 ‘에픽(EPIC)센터’ 프로젝트의 창립 멤버로 합류한다.
에픽센터는 어플라이드 머티어리얼즈가 최대 50억 달러(약 7조 3000억 원)를 투자해 실리콘밸리에 구축 중인 반도체 장비 R&D 시설이다. 올해 가동을 목표로 하고 있다. 반도체 제조사와 소재·부품·장비 기업들을 모아 신기술 개발과 공정 개선 등을 추진한다. 지난달 삼성전자, 이날 SK하이닉스와 함께 미국 마이크론도 에픽센터 창립 멤버가 됐다.
SK하이닉스는 자사 엔지니어들을 에픽센터에 파견해 차세대 메모리를 위한 반도체 R&D 장기과제를 공동으로 수행할 예정이다. 메모리 아키텍처가 현재 양산 공정을 넘어 차세대 노드로 발전함에 따라 양사는 신소재 탐색과 복합 공정 통합 방식, HBM급 첨단 패키징 구현을 위한 연구에 우선 집중하기로 했다. 어플라이드 머티어리얼즈의 싱가포르 첨단 패키징 R&D 인프라와도 연계할 방침이다.
곽 사장은 “인공지능(AI) 발전의 가장 큰 과제는 메모리 속도와 프로세서 성능 간 격차가 점점 벌어지고 있다는 점”이라며 “새로운 에픽센터에서 어플라이드 머티어리얼즈와의 협력을 통해 AI에 최적화한 차세대 메모리 솔루션을 구현할 혁신 로드맵을 제시할 수 있기를 기대한다”고 말했다.
게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 회장은 “차세대 D램과 HBM 기술의 상용화를 앞당기는 의미 있는 혁신을 함께 만들어가길 기대한다”고 했다.
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