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삼성전자 “올해 HBM 생산 3배 늘린다…절반은 HBM4 집중”

황상준 메모리개발담당 부사장 HBM5부터 2나노 공정 도입 16일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC 2026 행사장에서 업계 관계자들이 삼성전자 부스를 살펴보고 있다. 사진 제공=삼성전자 삼성전자(005930)가 올해 고대역폭메모리(HBM) 생산량을 지난해 대비 3배 이상으로 늘리고 그중 절반 이상을 최신 제품인 ‘HBM4’에 할당하기로 했다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 개막한 엔비디아의 연례 개발자회의 ‘GTC 2026’에서 취재진을 만나 “가파르게 램프업(증산)을 하고 있고 (생산에) 크게 문제는 없다”며 이 같이 밝혔다. 황 부사장은 “전체 HBM에서 HBM4를 절반 이상 가져가는 것이 목표”라며 “공급이 약간 부족한 상황이면 프리미엄 제품으로 공급을 집중하는 것이 전체 산업 측면에서 좋다”고 말했다. 그는 세계적인 메모리 공급 부족 사태와 관련해 전략적으로 공급해야 하는 파트너와 양산 제품을 공급해야 하는 파트너 등을 고려해 공급 물량을 맞출 수밖에 없다고 설명했다. 삼성전자는 또 이날 최초 공개한 HBM4E에 이은 HBM5에는 기존 4나노보다 고도화한 2나노 베이스다이 공정을 적용한다고 밝혔다. 황 부사장은 “원가 부담은 있지만 HBM이 지향하는 제품과 개념을 맞추려면 선단 공정 활용이 불가피하다”고 했다. 엔비디아가 이날 공개한 신형 추론 칩 ‘그록3’의 생산은 삼성전자 평택캠퍼스에서 이뤄질 예정이다. 황 부사장은 그록이 엔비디아와 라이선스 계약을 맺기 이전에도 삼성 파운드리의 고객이었다는 사실도 전했다. 그록이 엔비디아와 계약을 맺으면서 삼성 파운드리와의 관계가 끊어질 것을 우려했으나 엔비디아도 제품에 만족해 생산 체제를 유지하기로 했다는 것이다.