'그래핀 기판에 합성' 저온서도 가능

권순용 울산과기대 교수팀 개발


비교적 간단한 장비와 방법으로 저온에서 그래핀을 원하는 기판에 직접 합성할 수 있는 기술이 국내 연구자들 주도로 개발됐다.

교육과학기술부는 1일 권순용(35ㆍ사진) 울산과기대 교수 등의 주도로 이 같은 기술이 개발돼 네이처의 자매치인 네이처커뮤니케이션즈에 지난달 24일자로 게재됐다고 밝혔다.

흑연의 표면층을 한 겹만 떼어낸 탄소나노 물질인 그래핀은 구리보다 100배 이상의 전기전도성과 강철보다 200배 이상의 강도를 지녀 높은 응용 가능성으로 꿈의 신소재로 불린다. 이 기술개발 전까지는 그래핀을 기판에 합성하려면 1,000도에서 금속기판 위에 그래핀을 합성한 후 원하는 기판으로 전사하는 복잡한 공정이 필요한 화학기상증착법(CVD)을 활용해야만 했다.

하지만 권 교수팀은 상온에 가까운 저온에서 탄소원자가 스스로 금속표면 위에서 확산하는동시에 벌집 모양으로 결합하는 현상을 이용해 200도 이하에서 단단한 산화 실리콘 기판을 비롯해 유리, 플라스틱 기판 등 어떠한 기판에도 그래핀을 합성할 수 있도록 했다.

권 교수는 "비교적 간단한 방법으로 저온에서 그래핀을 원하는 기판에 합성할 수 있는 만큼 앞으로 이 기술이 차세대 그래핀 사업에 응용되는 핵심기술이 될 것으로 기대한다"고 말했다.

이번 연구는 교과부와 한국연구재단이 추진하는 일반연구자지원사업(기본연구)과 WCU육성사업 등의 지원으로 수행됐다.

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