“앞선 기술력으로 상계관세 벽을 넘는다.” 미국ㆍEU의 상계관세 공격으로 궁지에 몰린 하이닉스반도체가 첨단기술력으로 끈질긴 `뒷심`을 발휘하고 있다. 17일 관련업계에 따르면 하이닉스는 지난 2월 256메가 DDR400 D램에 대해 인텔인증을 획득한데 이어, 이날 세계최초로 고성능 512메가 D램의 DDR400제품도 인텔인증을 받았다. 또 다음달에는 0.10미크론(1미크론=100만분의1미터)급 반도체 양산에 돌입한다. 하이닉스는 이밖에도 최근 세계 3위의 반도체업체인 ST마이크로와 전략적 제휴를 통한 플래시메모리 사업 강화, 초전력 SD램 개발, 차세대 F램 개발, 그래픽메모리사업 강화, 스마트카드칩 사업 확대, 첨단 유기EL구동칩 개발, 3차원게임칩 공동개발 등 굵직굵직한 기술적 성과들을 잇달아 선보였다. 0.10미크론 양산으로 하이닉스는 차세대 초미세공정에 대한 경쟁력을 갖췄고, 플래시메모리사업 진출로 새로운 캐시카우(고수익사업)를 확보했으며, 3차원게임칩 기술로 SOC(System On a Chip) 분야에도 발을 들여놓았다. 특히 수십개의 칩을 하나의 칩에 축약하는 SOC는 `반도체기술의 종착지`로 주목받고 있어 하이닉스의 교두보 확보는 주목할 만한 일이다. 3차원게임칩 개발과 관련, 김재석 연세대 교수는 “하이닉스의 D램 기술을 고부가 가치의 SOC기술로 변환시키는 가능성을 연 것으로 의의가 크다”고 말했다. 한편 하이닉스는 지난 2월 차세대 고속 D램인 DDR400이 인텔로부터 공식 인증을 획득한지 넉달만에 DDR400의 생산능력을 60%까지 끌어올렸다. 하이닉스는 최근 DDR400의 강세에 힘입어 오랜만에 `돈맛`을 보고 있다. 방민호 하이닉스 홍보팀장은 “하이닉스 직원들은 상계관세 판정 이후 벼량끝에 선 심정으로 연구개발에 임하고 있다”며 “이 같은 노력에 힘입어 DDR400의 생산수율(성공률)을 90%로 높일 수 있었다”고 말했다. <문성진기자 hnsj@sed.co.kr>