삼성전자[005930]는 세계 최초로 80나노 2기가 DDR2 D램 개발에 성공했다고 20일 발표했다. 삼성전자 황창규 반도체총괄 사장은 이날 서울 신라호텔에서 열린 기자간담회에서 이렇게 밝히고 "용량 확대를 위해서는 반드시 미세공정이 적용돼야 한다는 등식을 깨고 설계 및 공정기술을 통해서도 용량 확대가 가능하다는 것을 입증한 것"이라고 설명했다. 삼성전자는 기존의 80나노 기술을 적용해 개발에 성공함으로써 최소 65나노급이하의 첨단기술을 적용해야 2기가 용량의 D램 개발이 가능할 것이라는 업계의 통념을 깨뜨렸다고 설명했다. 삼성전자는 이번 80나노 2기가 DDR2 SD램 개발은 자체 개발한 3차원 트랜지스터기술과 신개념 아키텍처 기술을 적용해 기존 반도체 공정으로 용량을 확대하는 데성공했다고 전했다. 황 사장은 작년까지 메모리사업부만을 맡아오다 올해 초 반도체총괄 사장으로취임했으며, `메모리 신성장론'을 발표해 세계 반도체 업계의 주목을 받아왔다. (서울=연합뉴스) 공병설기자