하이닉스반도체가 세계 최초로 메가급 Fe램 상용화에 성공했다. 하이닉스반도체는 9일 차세대 이동통신 및 SoC(System on Chip)에 쓰이는 고집적 강유전체 메모리(Fe램ㆍFerroelectric RAM)의 시제품 두 종류를 선보였다. 이번에 개발한 제품은 0.25미크론의 가공기술을 적용한 4메가 및 8메가 Fe램 샘플로 3.0볼트의 동작전압에서 70나노초(1나노초=10억분의 1초)의 고속으로 쓰기와 읽기가 가능하며 1,000억번 이상의 반복쓰기가 가능하다. Fe램은 D램의 고집적, S램의 고속처리, 플래시메모리의 비휘발성 등의 장점을 겸비한 종합메모리로, 아직은 초기개발단계이지만 장기적으로 핸드폰ㆍ스마트카드 등에 광범하게 사용될 것으로 전망된다. 이 제품은 10일 미국 콜로라도 스프링스에서 개최되는 제15회 ISIF학회에서 공식적으로 공개될 예정이다. <문성진기자 hnsj@sed.co.kr>