인간의 머리카락 굵기보다 약 2,000배나 가는 50나토미터(나노미터는 1M의 10억분의 1)크기의 이 트랜지스터는 실리콘 웨이퍼 위에 모든 소자(素子)를 조립, 기존의 직사각형 트랜지스터와 달리 「수직 트랜지스터」로 명명됐다.이 제품은 전류의 흐름을 제어하는 게이트가 단 하나지만 빛을 이용하는 기존 트랜지스터와 달리 정밀 제어 물질층을 이용해 게이트와 절연층의 두께를 얇게 함으로써 칩 크기는 작은 반면 처리 성능을 크게 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다. 벨 연구소의 잭 헤르겐로더 연구원은 『우리가 개발한 수직형 트랜지스터가 10년내 기존 트랜지스터를 대신하게 될 것』이라고 말했다. 반도체업계는 현재 절연층에 이용되고 있는 실리콘 다이옥시드를 대신해 새로운 대체물질을 찾으려 하고 있지만 새로운 대체물질이 반도체 제조과정의 고압 공정을 견낼수 있을 지가 관건이다. 그러나 수직 트랜지스터의 경우 고압공정이 모두 끝나는 마지막 단계에서 게이트와 절연층을 배치하기 때문에 이같은 문제를 해결할 수 있었다고 헤르겐로더연구원은 설명했다. /브뤼셀=연합