하이닉스반도체가 ‘글로벌 톱3’진입을 목표로 중국 공장을 낸드플래시메모리(이하 낸드플래시) 주력기지로 키운다. 1일 하이닉스반도체에 따르면 지난달말 중국 우시에 ST마이크로와 합작으로 설립한 ‘하이닉스-ST반도체 유한공사’(이하 하이닉스-ST)는 당초 방침과 달리 내년 상반기 가동초기부터 낸드플래시 생산에 나선다. 하이닉스-ST는 가동 초기에는 D램 생산에만 주력할 계획이었다. 회사 관계자는 “최근 플래시메모리 시장이 노어플래시에서 낸드플래시 중심으로 빠르게 재편되고 있어 ST마이크로가 안정적인 낸드플래시 공급을 바라고 있다”며 “하이닉스-ST는 초기부터 낸드플래시를 생산할 것”이라고 밝혔다. 하이닉스-ST는 8인치(200mm)와 12인치(300mm)웨이퍼 생산라인을 내년부터 각각 1개씩 가동시켜 1~2년내 낸드플래시의 생산비중을 30% 이상으로 끌어올릴 계획이다. 이중 내년 상반기중 가동될 8인치 라인은 하반기부터 웨이펴 생산능력을 월 6만장 수준으로 끌어올리고 12인치 라인은 내년 하반기중 월 1만7,000장 규모로 가동된다. 하이닉스는 또 올해 국내 공장의 낸드플래시 생산비중도 현재의 10%선에서 하반기에 최고 25% 수준까지 높일 예정이다. 회사의 한 임원은 “조만간 양산에 들어갈 이천공장의 M10라인(12인치) 등을 낸드플래시 라인으로 활용하는 방안을 검토중”이라며 “12인치 라인은 기존 8인치 라인보다 생산성이 2.25배나 높아 낸드플래시 생산능력이 급격히 늘어난다”고 설명했다. 회사측은 낸드플래시 생산능력을 크게 늘릴 경우 세계시장 점유율 3위인 르네사스테크놀로지(점유율 9.5%)을 제치고 도시바(점유율 29.2%)를 따라잡을 것으로 기대하고 있다.