LG화학이 공격적인 투자를 통해 정보전자소재사업과 중국사업을 주력사업으로 집중육성한다.LG화학은 올해 5,130억원, 내년에 7,000억원을 투자하는 등 매년 30% 이상 투자규모를 늘려 정보전자소재 부문과 중국사업을 강화할 방침이라고 29일 밝혔다. 특히 전체 투자중 80% 가까운 3,913억원을 시설투자에 집중할 계획이다. 시설투자는 2차전지와 TFT-LCD편광판 등 정보전자소재에 집중하고, 연구개발인력도 현재 267명에서 317명으로 늘려 연구개발능력을 대폭 강화한다. 특히 그동안의 반도체 개발을 경험으로 3년내 유기ㆍ 무기물질과 고분자 복합재로 이뤄진 차세대 반도체절연소재를 개발할 생각이다. LG화학은 이 같은 공격적 투자를 바탕으로 올해 매출은 지난해보다 6% 증가한 5조340억원ㆍ영업이익은 11% 많은 4,150억원을 목표로 설정했다. 이중 정보전자소재 부문에서 3,388억원의 매출과 14억원의 영업이익을 올리고, 오는 2005년에는 1조2,000억원의 매출로 총 매출 8조원 가운데 15%로 비중을 높일 예정이다. 노기호 LG화학 사장은 이와 관련, "편광판, 유기EL, 반도체절연재 등은 세계 최고 수준에 이르고 있다"면서 "올해 일본업체와 치열한 경쟁을 벌이고 있는 2차전지부문에 사력을 다해 수익성 확대에 나설 것"이라고 강조했다. LG화학은 공격적 시설투자와 함께 중국사업 강화에 나선다. ABS 중국 생산법인인 LG용싱케미칼의 생산능력을 현재의 2배인 연산 30만톤으로 늘리고, 2005년에는 50만톤으로 확대한다. LG다구 케미칼의 PVC 생산능력도 현재의 연산 24만톤에서 내년에 30만톤, 2005년에는 64만톤으로 늘릴 계획이다. 또 중국 광동성에는 엔지니어링플라스틱 공장을 설립하고, 고광택시트ㆍ편광판 진출을 강화해 중국지역 매출을 현재 1조1,000억원에서 2005년에 2조1,000억원으로 확대해 매출 비중을 25%로 늘릴 예정이다. 한편 이 회사는 오는 3월8일 주총을 열어 15% 배당을 실시하고, 오는 4월에는 1ㆍ4분기 실적을 바탕으로 노기호 사장이 직접 해외IR에 나설 계획이라고 덧붙였다. 최인철기자