삼성전자는 올해 투자규모를 사상최대인 26조원(시설 18조, R&D 8조)으로 확대, 글로벌 IT 시장의 주도권을 강화하기로 했다고 17일 밝혔다. 반도체부문에서는 메모리 9조원, 시스템 LSI 2조원 등 11조원을 투자한다. 우선, 차세대 메모리 제품 생산을 위한 신규라인(16라인) 건설, 30나노 D램 양산을 위한 15라인 생산능력 확충 등 메모리반도체 투자규모를 당초 계획인 5조5,000억원에서 9조원대로 늘린다. 15라인 증설은 저전력·고성능 D램 공급 확대 수요에 적극 대응하기 위한 것이며, 올해 말까지 30나노급 D램 생산비중을 10% 이상으로 늘릴 방침이다. 이날 이건희 회장 등이 참석한 가운데 기공식을 가진 16라인은 내년부터 본격 가동, 월 20만매(12인치 기준) 이상의 웨이퍼를 생산할 계획이다. 삼성전자가 반도체 신규라인을 건설하는 것은 지난 2005년 15라인 이후 5년 만이며, 16라인 완공까지 단계적으로 총 12조원을 투자, 메모리 분야의 리더십을 확고히 한다는 전략이다. 시스템LSI도 45나노 이하 공정을 적용하는 모바일ㆍ디지털 TV 등 시스템온칩(SOC)사업과 파운드리 사업 강화를 위해 2조원대 투자도 추진한다. LCD부문에서는 2011년 이후 대형 LCD TV용 패널 수요 증가에 대비, 총 2조5,000억원을 투자해 월 7만매(기판 기준) 규모의 8세대 LCD 신규라인(8-2 2단계)을 탕정사업장에 건설하기로 했다. 이로써 삼성전자는 총 4개의 8세대 라인을 확보하게 되며 올해 투자 규모도 총 5조원으로 확대된다. 한편 삼성모바일디스플레이도 탕정 디스플레이 단지에 2012년까지 총 2조5,000억원을 들여 세계최대 규모의 AMOLED(유기발광다이오드) 제조 라인을 건설, 5.5세대(1,300×1,500㎜) AMOLED 월 7만매(기판 기준) 양산체제를 구축한다. 5.5세대 라인이 완공되면 AMOLED TV용 패널을 생산, AMOLED 대형화의 발판을 마련할 전망이다.