◎전력손실 최소화·스위칭 하강 100나노초이하 실현삼성전자는 전력반도체를 집중육성해 비메모리분야에서 오는 2002년 12억달러매출을 올려 세계 10위업체로 부상한다는 전략을 달성하기 위한 첫 작품으로 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 4세대제품으로 불리고 있는 SDB(Silicon Direct Bonding) IGBT를 개발했다고 27일 발표했다. IGBT는 고속의 MOS(Metal Oxide Silicon)와 고내압 바이폴라기술의 장점을 결합해 낮은 전력손실과 빠른 스피드를 특징으로 사용이 확대되고 있는 차세대전력반도체로 연평균 22%의 고성장을 거듭하고 있으며 중·대형전력소자분야에 대한 시장진입이 가능한 고부가가치반도체다. 삼성전자는 이번에 개발한 1200볼트 SDB IGBT는 세계 처음으로 포화전압 2.0볼트이하, 스위칭하강시간을 1백나노초이하수준을 달성해 미 IR사, 미쓰비시 등 선진업체제품에 비해 특성이 매우 뛰어나다고 강조했다. IGBT는 인버터시스템이 적용되는 가전및 산업전자전반에 사용이 늘어나고 있는데 현재 80%이상이 산업용으로 쓰이고 있으며 시장규모도 올 8억3천만달러, 99년 14억달러로 매년 22%이상의 고율성장을 기록하고 있다.<김희중>