삼성전자와 미국 스탠퍼드대의 공동 연구결과가 세계적인 권위지인 사이언스지 7월호에 게재됐다.
9일 삼성에 따르면 삼성전자 종합기술원과 스탠퍼드대 제난 바오 교수팀은 지난 3년간 공동으로 연구해 탄소나노튜브 트랜지스터 제조공정 개선법을 발표했다고 밝혔다. 이 연구는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조할 때 기존의 3단계(분리ㆍ위치제어ㆍ배열) 공정을 한 번의 과정으로 줄였다.
공정 단가가 절감되면서 탄소나노튜브 실용화가 앞당겨질 가능성이 높아졌다. 삼성전자 종합기술원은 스탠퍼드대와 협력해 이를 활용한 플렉시블 디스플레이(휘어지는 화면), 저가 LCD용 구동소자, 센서소자, 태양전지용 투명전극 등에 확대 적용할 방침이다.