하이닉스 반도체 하이닉스반도체는 차세대 반도체로 주목받고 있는 1메가 Fe램(강유전체 메모리) 개발에 성공했다고 발표했다. 이 제품은 0.35미크론(1미크론=100만분의 1미터)의 미세 가공기술을 적용했으며 3볼트에서 5볼트까지의 낮은 동작전압과 100ns(나노초, 1ns=10억분의 1초)의 고속 동작이 가능하다. 또 기존 각각 2개의 트랜지스터와 캐패시터(콘덴서)를 1개씩으로 줄여 칩 크기를 크게 줄인게 특징. Fe램은 전원이 끊겨도 저장한 데이터를 잃지 않는 비휘발성 메모리로 현재 컴퓨터 및 이동통신기기 등에 널리 사용되고 있는 D램ㆍS램ㆍ플래시메모리의 장점을 모두 가지고 있다. 특히 기존 비휘발성 기억 소자인 플래시 메모리나 EEP롬보다 동작전압이 낮고 정보기록 속도가 1,000배 이상 빠르다고 회사측은 밝혔다. 하이닉스측은 "그동안 Fe램 제품은 저용량이었으나 1메가 제품의 개발로 대용량 제품의 상용화 시기를 한 단계 앞당겼다"며 "주요 수요처인 이동통신기기ㆍ스마트카드 시장을 공략하기 위해 연구개발에 집중할 계획"이라고 말했다. 조영주기자