차세대 반도체 소자용 실리콘웨이퍼 생산기술이 국내 산·학연구진에 의해 국내 최초로 개발됐다.한양대 첨단반도체 소재·소자개발연구소 박재근(朴在勤·전자전기공학부) 교수팀은 삼성전자(대표 윤종용)와 공동으로 256메가D램 이상 고용량 반도체의 품질과 생산성을 획기적으로 높일 수 있는 8인치용 「슈퍼 실리콘웨이퍼」를 개발했다고 16일 밝혔다. 반도체 재료인 실리콘웨이퍼는 규소(SI)를 녹여 원반형태로 만든 것으로 그동안 제조과정에서의 결정결함과 금속원자 등으로 인한 중금속 오염이 당연시돼왔다. 이번에 개발한 슈퍼 실리콘웨이퍼는 웨이퍼 표면과 내부에 결정결함을 제거하고 제조공정 중 발생하는 반도체 소자 동작 영역의 중금속 오염 가능성을 최소화해 반도체 소자의 수율을 최대한 높힌 차세대 기술이다. 관계자들은 이 제조기술이 일본 반도체회사 등 선진국 업체보다 2년 이상 앞선 것으로 평가하고 있다. 일본 업체들은 실리콘웨이퍼 표면에 규소를 추가로 덧붙여 매끄럽게 만드는 방법으로 결정결함을 없애는 「에피웨이퍼」방법을 사용했으나 웨이퍼가 휘거나 중금속 오염 위험이 높고 생산단가가 20% 이상 증가하는 단점을 감수해왔다. 한편 연구팀은 현재 슈퍼 실리콘웨이퍼 제조기술과 관련 2건의 특허를 국내 및 미국 등 8개국에 출원하고 일본 MSIL사 등 일본 웨이퍼 제조회사와 기술이전을 협의 중이어서 향후 고액의 기술료 수입이 예상된다. 朴교수는 『이번에 개발한 8인치 웨이퍼 제조기술을 12인치 웨이퍼에도 적용할 수 있는 「슈퍼 실리콘웨이퍼Ⅱ」를 개발, 국내 업계의 경쟁력 제고에 기여할 계획』이라고 말했다./고진갑 기자 GO@SED.CO.KR