하이닉스반도체는 0.11㎛(미크론)의 미세공정을 적용한 256M DDR D램 양산을 시작했다고 24일 밝혔다.
0.11㎛ 공정은 0.13㎛ 공정에 비해 40% 이상의 생산성 향상이 가능해 원가 경쟁력을 향상시킬 수 있고 생산량도 대폭 늘릴 수 있는 게 장점이다.
하이닉스 관계자는 “경쟁사에 비해 3분의 1 정도의 투자만으로 0.11㎛ 공정 설비를 확보했다”면서 “앞으로 본격적인 나노급 반도체 공정 개발을 위한 연구ㆍ개발(R&D)에 전력을 다할 것”이라고 말했다.
한편 삼성전자는 연말까지 메모리반도체 라인의 70%를 0.10㎛ 미만의 나노 공정으로 전환, 생산력을 기존 0.13미크론 공정기술 적용 때 보다 40% 가량 높인다는 계획을 갖고 있다.
<최인철기자 michel@sed.co.kr>