현대전자 세계 최초 개발 현대전자는 데이터 처리속도 333MHz의 초고속 512메가 DDR SD램을 세계 최초로 개발했다고 10일 발표했다. 이 제품은 0.12미크론(1미크론은 100만분의 1미터)의 초미세 회로선폭 가공기술을 적용해 2.5V의 저전압에서도 동작한다. 현대는 이를통해 0.10미크론 이하의 기술을 확보할 수 있는 기반을 마련했다고 밝혔다. 이 제품은 1초 동안 666만개의 문자를 전송할 수 있는 속도를 구현, 시스템과 메모리간의 동작속도 지연문제를 해결할 수 있다. 또 256메가 D램 이하 제품에 사용되는 기존 패키지에 바로 장착할 수 있는 작은 크기로 36개를 하나의 모듈로 만들면 세계 최대의 2기가 바이트 모듈제작이 가능하다. 이로써 설계변경 없이 기존 고성능 PC나 서버, 워크스테이션 등의 메모리 개선작업에 적용할 수 있게 됐다고 회사측은 설명했다. 현대는 이 제품을 상반기부터 청주공장에서 양산하기 시작해 IBM, 휴렛팩커드 등 대형 시스템 업체에 제공하고 하반기에는 모든 공장으로 양산을 확대할 계획이다. 개발을 맡은 윤규한 이사는 "반도체 제조 공정 수를 15% 정도 절감시킬 수 있게 됐다"며 "LG반도체와 통합 이후 연구인력이 설계ㆍ공정 등에서 실질적인 통합시너지 효과를 발휘한 첫번째 작품"이라고 말했다. 조영주기자