삼성전자가 차세대 반도체 핵심기술의 특허를 잇따라 획득했다.21일 삼성전자(대표 윤종용·尹鍾龍)는 미국에서 현재의 싱크로너스 반도체 방식을 대체할 차세대 메모리로 주목받는 DDR(DOUBLE DATA RATE)방식 메모리 반도체의 핵심 기술특허를 획득했다고 밝혔다. 삼성전자가 이번에 획득한 특허는 데이터 입력회로 기술과 입력 마스킹(MASKING)회로 기술에 관한 것이다. 데이터 입력회로 기술은 DDR 방식 메모리 제품의 가장 큰 특성인 한 개의 클릭신호에 2개의 데이터 수신을 가능하게 하는 것이며 입력 마스킹 회로 기술은 DDR 방식 반도체에 입력되는 데이터 중 불필요한 데이터 입력을 제어하는 것이다. 삼성전자는 이번 특허 획득으로 로열티 수입 및 기술 판매로 올해 1,500만달러 이상의 수익을 기대하고 있다. 회사 관계자는 『이번 특허 획득으로 메모리 반도체 세계 1위 업체로서의 높은 기술력을 다시 한번 입증했다』며 『세계 초일류 기업들과 로열티 없이 특허를 상호 교환, 사용하는 「크로스 라이센스(CROSS LICENCE)」도 펼칠 수 있게 됐다』고 설명했다. 한편 삼성전자는 지난해 미국 특허청에 반도체 관련 450건 등 1,545건의 특허를 등록해 미국 내 특허등록 세계 4위를 차지했다. 강동호기자EASTERN@SED.CO.KR 입력시간 2000/05/21 18:43 ◀ 이전화면