삼성전자, 1기가D램 시대 앞당긴다세계 최초 0.11㎛ 상용화 기술 개발 삼성전자가 세계 최초로 회로선폭 0.11㎛(1㎛는 100만분의 1M)의 상용화 기술을 개발했다. 이에 따라 1기가D램에 필요한 신규설비 투자금액이 획기적으로 줄어들어 1기가D램 시대가 대폭 앞당겨질 전망이다. 삼성전자(대표 윤종용·尹鍾龍)는 지난달 미국 하와이에서 열린 제20회 VLSI(VERY LARGE SCALE INTEGRATION) 심포지엄에서 「회로선폭 0.11㎛의 1기가D램 상용화 기술」을 발표했다고 18일 밝혔다. 회로선폭은 반도체 재료인 웨이퍼에 새겨지는 회로의 선폭을 말하며 회로선폭이 미세할수록 고집적의 반도체 생산이 가능해져 전세계 반도체업체들이 회로선폭 미세화 경쟁을 벌이고 있다. 지금까지 가장 미세한 회로선폭 기술은 0.12㎛ 기술로 삼성전자는 지난 4월 회로선폭 0.12㎛의 512메가D램 상용제품을 세계 최초로 발표했다. 1메가D램보다 1,000배 집적도가 높은 1기가D램의 상용화는 0.10㎛ 이하의 공정기술을 적용해야만 가능한 것으로 업계는 예상했었다. 그러나 이번에 회로선폭 0.11㎛의 1기가D램 생산이 가능해짐에 따라 0.10㎛ 이하 공정기술 적용시 필수적인 설비교체없이 1기가D램을 양산할 수 있게 됐다. 한편 삼성전자는 회로선폭 0.12㎛ 기술이 이번 심포지엄에서 최우수 논문으로 선정돼 지난해에 이어 2년 연속 최우수 논문을 발표하는 영예를 안게 됐다고 밝혔다. 삼성전자는 또 「4기가 이상급 D램 반도체용 신재료 적용기술」과 기존 제품 대비 20% 성능이 향상된 「비메모리 반도체용 초고속 트랜지스터 소자기술」을 발표했다고 말했다. VLSI 심포지엄은 지난 81년부터 개최돼 인텔, NEC, IBM, 도시바 등이 참여하고 있는 세계적인 권위의 반도체 관련 심포지엄이다. 조영주기자YJCHO@SED.CO.KR 입력시간 2000/07/18 17:55 ◀ 이전화면