삼성전자는 14일 1.8V 저전력의 128메가 NAND(데이터저장용)형 플래시메모리 제품 개발에 성공했다고 밝혔다.이 제품은 2.7~5.5V 수준이던 기존 제품들의 전력소비를 크게 낮춘 것으로 각종 휴대용 디지털기기에 탑재가 용이하도록 CSP(Chip Scale Package)로 설계돼 PDAㆍ디지털캠코더ㆍMP3ㆍ셋톱박스등에 사용이 확대될 것으로 예상된다. 또 저전력 NAND형 플래시메모리와 D램을 연계해 사용하면 기존 휴대전화등에 주로 사용되던 고가의 NOR(코드저장용)형 플래시메모리보다 50%이상 가격이 저렴해NOR 플래시메모리 시장을 급속히 대체할 것으로 삼성전자는 전망했다. 이 제품은 NAND형 플래시메모리의 단점인 랜덤 액세스(Random Access) 기능을 D램으로 대체하는 구조를 적용, NOR 플래시메모리 보다 속도를 빠르게 개선했다는 점에 의의가 있다고 삼성전자는 설명했다. 삼성전자는 현재 전세계 NAND형 플래시메모리 시장의 약 35%를 점유하고 있으며이번에 출시한 128메가 제품을 6월말부터 본격 양산한뒤 3ㆍ4분기부터는 256메가 제품의 조기양산에 돌입할 계획이다. 조영주기자