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우리나라 연구진이 중성빔을 이용해 원자 단위로 미세하게 반도체 기판을 새길 수 있는 기술을 세계 최초로 개발했다. 현재 반도체 기판을 새길 때 이용하는 플라즈마(이온화된 가스)는 전기적 성질을 띠고 있어 작업 과정에서 적잖은 손상이 생긴다. 때문에 고도의 정밀을 요하는 차세대 나노미터급 반도체에는 이 같은 기술을 적용하는 것이 불가능 하다. 염근영 성균관대 교수 연구팀은 24일 차세대 나노미터급 반도체 공정에 필수적인 ‘중성빔을 이용한 원자층 식각(불필요한 물질을 제거하는 반도체 제작공정) 기술’을 개발했다고 밝혔다. 염 교수 연구팀이 선보인 중성빔을 활용한 원자층 식각 기술은 무손상 식각이 가능하다. 식각 공정 중 발생하는 전기적ㆍ물리적 손상이 없을 뿐더러 식각 공정 후 발생하는 표면 거칠기도 원자층 단위 이내로 조절이 가능하다. 중성빔은 이온화된 가스인 플라즈마와 달리 중성의 전하만을 띠는 분해된 가스로서 전기적 성질이 없는 것이 특징이다. 염 교수는 “이번 기술개발은 차세대 나노 반도체 개발에 없어서는 안될 원자 단위의 식각 깊이 조절에 대한 원천 특허를 획득한 데 의미가 있다”며 “이번 연구성과로 향후 반도체 장비 및 공정 국산화와 차세대 반도체산업에서의 기술적 우위를 확보하는 전기를 마련했다”고 말했다. 이번 연구결과가 오는 2010년 본격 상용화될 경우 연간 4,000억원 이상의 수입대체 효과와 수출 등 상당 규모의 경제적 파급효과가 기대된다고 염 교수는 설명했다. 염 교수는 이 기술을 국내와 미국에 2건의 특허등록을 마친 상태다.