김 사장은 삼성전자가 낸드플래시 용량을 2002년 2Gb(기가바이트)에서 2006년 32Gb로 매년 2배씩 늘리며 플래시 메모리 기술을 발전시키는데 주도적 역할을 했다. 특히 48단 적층구조 낸드 플래시 개발을 주도해 메모리 업계에 큰 영향을 줬다고 FMS는 평가했다.
김기남 사장은 수상 소감을 통해 “2003년 삼성전자 반도체연구소장을 지냈을 때부터 평면구조 낸드플래시의 한계를 극복하기 위해서는 혁신적인 기술이 필요할 것이라고 생각했고 여러 기술적 어려움에도 불구하고 V낸드를 개발하기 위해 지속적인 노력을 해왔다”며 “ 10년 이상의 기간 동안 삼성전자 임직원들의 집념에 의해 가능하게 된 것”이라고 말했다. 그는 “2013년 8월 세계최초로 1세대 24단 V낸드를 양산한데 이어 올해 말 64단 V낸드를 양산할 계획”이라며 “가까운 미래에 100단 이상 적층구조의 1Tb(테라비트) 낸드 플래시가 현실이 될 것으로 믿는다”고 말했다.
한편 삼성전자는 이번 FMS에서 올해 4·4분기 출시 예정인 4세대(64단) V낸드 기반 제품을 공개했다. 기존 3세대(48단) 보다 30% 가량 단수를 높인 제품이다. 삼성전자는 또 고용량 서버용 32TB SAS SSD, 울트라 슬림 PC용 1TB BGA NVMe SSD, 하이엔드용 Z- SSD 등 혁신적인 4세대 V낸드 기반 신제품을 소개했다. 삼성전자는 빅데이터 시대를 맞아 초고용량의 ‘테라’ 시대를 주도해 나갈 계획이다. 빅데이터의 증가와 고속 처리, 데이터센터 관리 비용 절감 등 시장 요구에 맞춰 고용량, 고성능, 초소형 솔루션으로 기업 고객들의 IT 투자 효율을 극대화하겠다는 전략이다.
전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “향후 독보적인 V낸드 기술을 바탕으로 스토리지 사업 영역을 지속 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.
/강도원기자 theone@sedaily.com