4·4분기 메모리 사업은 낸드의 경우 고용량 48단 V-낸드 SSD 공급을 대폭 확대하고, D램은 고용량 스마트폰과 데이터센터용 공급을 늘려 전분기 대비 실적이 크게 개선됐다.
삼성전자는 올해 메모리 사업에서 V-낸드 투자에 집중해 64단 V-낸드 공정 전환에 주력하고, 고성능 서버용 SSD 등 프리미엄 시장 대응에 주력해 기술 리더십 강화와 함께 수익성을 지속 확보할 계획이다. D램의 경우도 10나노급 D램 공정 전환을 본격화해 기술 리더십을 더욱 강화하는 한편, 고용량·고성능 등 고부가 제품 판매에 더욱 주력할 예정이다. 올 1·4분기에 64단 V-낸드 공급 시작과 10나노급 D램 공급을 본격 확대하는 동시에 수익성 중심 제품 판매에 집중해 실적 향상을 지속 추진할 방침이다.
시스템LSI 사업은 4·4분기에 중저가 모바일 AP 수요 견조세와 업계 최초 10나노 파운드리 공정 개시 등을 통해 전분기 수준의 양호한 실적을 달성했다. 올해는 10나노 공정 제품 양산을 본격화하는 가운데, 14나노 제품기반의 오토모티브(Automotive)·웨어러블(Wearable)·사물인터넷(IoT) 등 제품 다변화와 이미지센서·디스플레이구동칩(DDI) 등의 제품 공급 확대를 통해 실적 성장세를 이어갈 계획이다.
/김현진기자 stari@sedaily.com