아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 향상된 스위칭 성능의 새로운 0.18micron RFSOI 공정을 제공한다고 밝혔다.


이번에 출시된 2.5V 특화 스위치 중심 공정은 기존의 1.5V/2.5V 공정에 대비해, 제조 비용 및 시장 진입 시간을 절감하는 동시에 무선 연결을 위한 모바일 및 IoT(Internet-of-Things)에 사용되는 안테나 스위치에 있어 경쟁력 있는 성능을 제공하는 것이 특징이다.

새로운 0.18micron 2.5V RFSOI 공정이 주는 가장 큰 이점은 비용 대비 높은 효율성에 있다. 이번 공정은 산업표준인 1P4M(1 Poly Silicon Layer & 4 Metal Layer) 대비, Metal 1에 알루미늄을 사용해 150fs의 Ron*Coff를 제공하고, Photo Step 수를 약 15% 줄였다. Mask Layer 수의 축소는 고객에게 비용 절감은 물론 팹 소요 시간을 줄여 제품 출시 기간을 단축할 수 있게 한다. Ron*Coff는 RF 스위치의 성능을 평가하는데 사용되는 성능 지수에 하나다.

또 다른 주요 이점은 Ron*Coff를 150fs로 유지하면서, 4V의 견고한 BV (Breakdown Voltage)를 갖는 다는 점이다. 높은 BV는 Stack 수를 감소시켜 칩 크기를 줄일 수 있다.

이와 함께 이번 0.18micron RFSOI 공정은 2GHz에서 삽입 손실을 20 % 감소시키는 한편, 35dBm 전력 레벨에서 -60dBm보다 더 낮은 고조파 구현이 가능해 졌다. 이번 공정은 SP8T(Single Pole Eight Throw) 스위치를 통해 성공적으로 시연됐으며, 고조파 왜곡을 억제하기 위해 Trap-rich의 고-저항성 기판을 기반으로 사용하고 있다.

또한 Floating body, Low leakage 와 같은 유용한 옵션과 함께, 추가적인 Transistor를 제공할 뿐 아니라, 다수의 RF 및 아날로그 기능을 더욱 작은 Die에 통합할 수 있도록 해 약 18%의 면적 감소가 가능한 것이 특징이다.

아울러 사용 가능한 공정 옵션에는 27-volt Metal-Inductor-Metal Capacitor, Geometry Scalable Inductor, High Resistivity Poly Resistor, MOS Varactor 및 풍부한 전력 처리를 위해 4micron 두께의 Thick Top Metal을 비롯한 최대 4 Layer Metal이 포함되었다.

매그나칩 김영준 대표이사는 "매그나칩의 RFSOI 기술 포트폴리오에 스위치 중심 2.5V 공정이 추가된 것은 매그나칩이 높은 가격 경쟁력을 갖춘 고성능의 RFSOI 공정을 필요로 하는 파운드리 고객을 위해 얼마나 노력하고 있는 지를 보여주는 또 다른 사례"라며 “우리는 글로벌 고객들의 늘어나는 높은 수준의 요구사항들을 충족시키기 위해, 지속적으로 차별화된 공정 제공은 물론 RFSOI 공정을 더욱 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.

/김동호기자 dongho@sedaily.com