삼성전자(005930)가 차세대 메모리반도체 eM램(내장형 M램)으로 파운드리 시장을 선도한다. M램은 비휘발성이면서도 D램 수준의 빠른 속도를 지녀 사물인터넷(IoT) 기기 등에서 정보를 저장하는 데 적합하다.

삼성전자는 6일 ‘28나노 FD-SOI 공정 기반 eM램’ 솔루션 제품을 출하했다고 밝혔다. 완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄여준다. FD-SOI 공정으로 만들어진 M램은 전력을 적게 소모하면서도 속도가 빠르다는 특징을 가진다. 소형화가 쉽지만 가격도 저렴하다.


삼성전자 파운드리 사업부는 시스템온칩(SoC)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야의 기술 리더십을 강화한다. 내장형 메모리는 IoT 기기 등 소형전자 제품에 사용되는 마이크로 컨트롤러(MCU)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 한다. 현재는 e플래시(내장형 플래시메모리)가 주로 사용되지만 여기에 데이터를 기록하려면 기존 데이터를 먼저 삭제해야 하기 때문에 속도와 전력효율이 떨어진다.

반면 삼성전자의 ‘28나노 FD-SOI eM램’ 솔루션은 데이터 삭제 과정이 필요 없고 기존 e플래시보다 약 1,000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 비휘발성이라 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 유지하기 위해 대기 전력을 소모할 필요도 없다. 데이터 기록에 필요한 동작전압이 낮아 전력효율 또한 뛰어나다. 단순한 구조로 고객사의 설계 부담과 생산비용을 낮출 수 있는 것도 장점이다.

삼성전자는 올해 안에 1Gb eM램 테스트칩 생산을 시작하기로 했다. 이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 “신소재 활용의 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다”며 “이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eM램을 확대 적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공할 것”이라고 말했다.
/박효정기자 jpark@sedaily.com