18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 확장 팹(C2F) 준공식에서 주요 참석자 들이 공장 준공을 알리는 버튼을 누르고 있다. 왼쪽 일곱 번째부터 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 이석희 SK하이닉스 CEO, 최영삼 상하이 총영사 /사진제공=SK하이닉스

이석희 SK하이닉스 사장이 18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다. /사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스(000660)가 18일 중국 우시 확장 팹(C2F) 준공식을 개최했다. D램 공정이 미세화되면서 추가 장비가 필요해지자 SK하이닉스는 생산공간 확보를 위해 확장 팹 건설에 총 9,500억원을 투입했다. SK하이닉스는 이날 중국 우시에서 이석희 SK하이닉스 대표이사 사장, 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 고객 및 협력사 대표 등 500여명이 참석한 가운데 ‘새로운 도약, 새로운 미래’라는 주제로 준공식을 열었다고 밝혔다.


SK하이닉스는 2006년 중국 우시에 자사 첫 300㎜ 팹인 C2를 완공한 뒤 D램을 생산해 왔다. 하지만 공정 미세화에 따라 공정 단계가 늘어나고 장비가 커지면서 C2만으로는 공간이 부족해지자 SK하이닉스는 2017년 6월부터 확장 팹을 건설하기 시작했다.


이번 확장 팹은 단층에 건축면적 5만8,000천㎡(1만7천5백평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 확장 팹의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 추가 클린룸 공사 및 장비 입고 시기는 시장 상황에 따라 탄력적으로 결정하기로 했다.

강영수 SK하이닉스 우시팹담당 전무는 “이번 준공으로 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “기존 C2 공장과 ‘원 팹’으로 운영해 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화 할 것”이라고 말했다.
/박효정기자 jpark@sedaily.com