삼성전자(005930)가 업계 최초로 극자외선(EUV)을 활용한 12나노(㎚·10억분의 1m) D램을 개발을 완료하고 내년 양산을 시작한다.

21일 삼성전자는 12나노 공정 16기가비트(Gb) DDR5 D램 개발을 완료했다고 밝혔다. 삼성전자는 제품 다수 층에 첨단 EUV 기술을 적용해 세계 최고 수준의 연산장치(트랜지스터) 집적도를 구현했다. 생산성도 이전 세대 제품 대비 약 20% 향상했다.

또 신소재 적용으로 전기 알갱이(전하)를 저장하는 커패시터의 용량을 높였다. DDR5 규격을 충족하는 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30기가바이트(GB) 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 이 제품은 기존 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐다.

삼성전자는 2023년부터 12나노급 D램을 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다. 세계 최고의 반도체 설계 회사 AMD와도 호환성 검증을 마쳤다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "뛰어난 성능과 전력 효율을 바탕으로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것"이라고 말했다.