차세대 반도체 소재인 하프늄옥사이드(HfO₂)의 ‘강유전성’을 높이는 기술을 개발한 김윤석(44·사진) 성균관대신소재공학부 교수가 ‘이달의 과학기술인상’ 1월 수상자로 결정됐다.
과학기술정보통신부가 주최하고 한국연구재단과 서울경제신문이 공동주관하는 ‘이달의 과학기술인상’을 받은 김 교수의 연구는 강유전성을 활용한 고효율 반도체소자의 실용화에 기여할 것으로 기대된다.
연구팀은 가볍고 미세 제어가 가능한 이온빔을 HfO₂ 기반의 강유전성을 지닌 물체에 조사해 산소 공공을 형성해 200% 이상 강유전성을 높였다. 김 교수는 “이온빔이라는 하나의 변수만으로 물성을 쉽게 제어하고 고성능화할 수 있는 가능성을 열었다”고 말했다.