SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 신제품인 ‘HBM3E’ 개발에 성공해 엔비디아 등 고객사에 샘플을 공급했다고 21일 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 끌어올리는 고부가 D램이며 HBM3E는 HBM3에 이은 5세대 제품으로 평가받는다. 삼성전자는 아직 5세대 제품을 공개하지 않은 상태다.

SK하이닉스는 이날 “HBM3를 독점 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능의 HBM3E를 개발하는 데 성공했다”며 “내년 상반기부터 HBM3E 양산을 시작해 인공지능(AI)용 메모리 시장에서 독보적 지위를 확고히 하겠다”고 강조했다.

이번 제품의 최대 특징은 기존 세대와 비교해 더욱 빨라진 데이터 처리 속도다. HBM3E는 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 1편 용량이 5GB(기가바이트)인 풀HD(FHD)급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있는 수준이다.

SK하이닉스는 이번 제품에 ‘매스 리플로 몰디드 언더필(MR-MUF)’ 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상 시켰다. 이 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입해 열을 내보내는 기술이다. 현재 삼성전자는 이와 유사한 공정에서 NCF라고 불리는 절연 필름을 D램 칩 사이에 끼운 뒤 열과 압력으로 누르는 이른바 ‘TC본딩’ 기법을 사용하고 있어 SK하이닉스와 기술적 차이점을 보이고 있다. 과거 반도체 업계에서는 MR 기술을 썼으나 미세 공정 한계 때문에 TC본딩 기술로 넘어갔고 이 과정에서 발견된 단점을 보완하기 위해 MR 기술에서 한 걸음 더 나아간 MR-MUF 공정이 도입됐다는 게 반도체 업계의 설명이다.

HBM3E는 하위 호환성도 갖춰 4세대 제품인 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다고 SK하이닉스는 설명했다. 이안 벅 엔비디아 부사장은 “엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션스(Accelerated Computing Solutions)용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다”며 “앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양 사의 협업이 계속되기를 기대한다”고 밝혔다.

류성수 SK하이닉스 부사장도 “HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다”며 “앞으로 고부가 제품 공급 비중이 계속 높아져 경영 실적 반등 흐름이 가속화될 것”이라고 말했다.