네이처 N-도핑된 루테늄 수소화물 초전도성 증거...디엔에프 루테늄 합성방법 특허 등 주목

최근 네이처(Nature)에 발표된 "N-도핑된 루테튬 수소화물에서 주변 초전도성의 증거(Evidence of near-ambient superconductivity in a N-doped lutetium hydride)"라는 논문이 실리면서 루테늄에 대한 관심이 높아지고 있다. 이에 디엔에프(092070)가 가지고 있는 루테늄 관련 기술들이 주목 받고 있다.


25일 외신에 따르면 네이처지에 "N-도핑된 루테튬 수소화물에서 주변 초전도성의 증거(Evidence of near-ambient superconductivity in a N-doped lutetium hydride)"라는 논문에 대해 보도했다.

보도에 따르면 이 소재는 색상과 스타트랙(Star Trek) 소재에 대한 경의를 표하기 위해 "븕은물질(reddmatter)"라는 별명을 붙였다고 전했다.

이 논문에 따르면 랑가 디아스 미국 로체스터대 교수와 연구팀은 루테튬이라는 희토류 금속을 수소와 소량의 질소와 혼합하여 물질을 만들오 고온에서 2~3일 동안 반응하게했다.

기사에 따르면 화합물은 짙은 파란색으로 나왔으나 초전도성에 도달하면 파란색에서 분홍색으로 변할 때 매우 높은 압력으로 눌려졌다가 초전도가 아닌 금속 상태에서 다시 짙은 빨간색으로 변했다. 작동하려면 재료를 섭씨 20.5도까지 가열하고 약 145,000psi로 압축해야 한다.

그리고 이 논문에 참여한 과학자들이 초전도 물질의 실용화를 위한 새로운 시대를 열 것이라고 말할 만큼 충분히 실용적라고 주장했다. 디아스 교수는 성명서에서 "초전도 가전 제품, 에너지 전달 라인, 수송 및 핵융합을 위한 자기 감금의 상당한 개선으로 가는 길은 이제 현실이 됐다"고 주장했다.

디엔에프는 '신규 루테늄 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법', '루테늄 박막증착용 전구체 및 이를 이용한 박막 증착방법', '루테늄함유 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 루테늄함유 박막' 등 루테늄에 대한 특허를 가지고 있다.

루테늄 박막은 고집적 메모리소자인 DRAM 커패시터(capacitor)의 전극재료, 또는 반도체 소자에서 구리 배선재료의 확산방지막으로 사용된다. 루테늄 박막은 일반적으로 실리콘 및 금속 산화물에 반응하지 않으며, 산소 및 실리콘의 확산에 대해 방지성이 있는 양호한 도체이다.

따라서, 루테늄 막의 제조용 전구체로서 이용될 수 있는 많은 루테늄 화합물을 가지고 화학기상증착기술 또는 원자층 증착법을 사용해 루테늄 막을 제공하는 방법이 끊임없이 요구되고 있다.

특허에 따르면 루테늄 박막 형성시 전구체로 사용되는 경우 RuOx 형성이나 불순물 발생이 최소화되고, 0가(zero valence)를 가지며 액체 형태로 균일한 증기압을 주며, 단차피복성이 우수하며, 박막 내 불순물이 없는 새로운 루테늄 화합물을 제공하는 데 목적이 있다. 또한, 이번 특허는 신규 루테늄 화합물을 사용하는 우수한 물성의 루테늄 박막 형성 방법을 제공하는 데 있다.

이에 이번 특허를 통해 루테늄 박막 증착을 위한 기존 전구체들의 단점을 해결할 수 있는 새로운 루테늄 화합물 및 이를 이용한 루테늄 박막 제조방법에 관한 것으로 전망된다.

한편 디엔에프는 2005년 삼성전자와 알루미늄(Al) CVD 전구체를 공동 개발했다. 이후 2007년에는 ACL(Amorphous Carbon Layer) 전구체를 개발 및 납품했다.



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