삼성전자가 업계 최초로 12단 5세대 고대역폭메모리(HBM) D램 개발을 완료하고 고용량 HBM 시장 선점에 나선다고 27일 밝혔다 .

삼성전자는 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘관통전극(TSV) 기술로 12단까지 쌓아올려 업계 최대 용량인 36기가바이트(GB) HBM3E를 만들었다. 12단 HBM3E은 초당 최대 1280GB의 데이터 전송 속도(대역폭)를 구현한다. 성능과 용량 모두 전작인 4세대 HBM(HBM3) 8단 제품보다 50% 이상 개선됐다.

삼성전자는 이번 HBM에 '어드밴스드 열압착 비전도성접착필름(TC NCF)'기술로 12단 제품을 8단 제품과 동일한 높이로 만들었다. 이 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가해 칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 '휘어짐 현상'을 최소화 할 수 있는 장점이 있어 고단 적층 확장에 유리하다.

삼성전자는 NCF 소재 두께도 얇게 만들어서 업계 최소 칩 간 간격인 '7마이크로미터(㎛)'를 구현했다. HBM3 8단 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현했다.

삼성전자는 12단 HBM3E 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했고 올 상반기에 이 제품을 양산할 예정이라고 강조했다. 배용철 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 말했다.