미국 정부가 텍사스주 테일러시에 반도체 공장을 짓고 있는 삼성전자에 64억 달러(약 8조 9000억 원)의 보조금을 지급한다고 15일(현지 시간) 발표했다. 삼성전자는 투자 규모를 기존 170억 달러에서 400억 달러 이상으로 확대할 계획이다. 공장에서는 4㎚(나노미터·10억분의 1m)와 2㎚의 첨단 반도체 생산을 목표로 하고 있다.

지나 러몬도 미 상무장관은 전날 브리핑에서 “삼성의 텍사스 반도체 제조 클러스터를 지원하기 위해 ‘반도체법(Chips Act)’에 근거해 64억 달러의 보조금을 지원할 계획”이라고 밝혔다. 조 바이든 미국 대통령은 이날 삼성의 투자 발표에 대해 “나의 ‘인베스트 인 아메리카’ 의제와 한미 동맹이 미국의 모든 구석에서 기회를 어떻게 창출하고 있는지 보여주는 또 다른 본보기”라고 평가했다. 그는 이어 “(삼성전자의) 시설은 세계에서 가장 강력한 반도체 가운데 일부를 생산하는 것을 도울 것”이라고 강조했다.

미국 정부가 삼성전자에 지원하는 반도체 보조금은 미국 반도체 기업인 인텔(85억 달러·11조 8000억 원)과 대만 기업인 TSMC(66억 달러·9조 1000억 원)에 이어 세 번째로 큰 규모다. 투자액 대비 보조금 비율은 인텔이 8.5%, TSMC는 10.2%이지만 삼성전자는 16% 수준으로 더 높다.