삼성전자가 세계 최초로 280단대 9세대 낸드플래시를 양산한다. 독보적인 더블 스택 공정으로 낸드 시장 ‘초격차’를 유지해나가겠다는 전략이다.

삼성전자는 1Tb(테라비트) 용량의 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드 생산을 시작한다고 23일 발표했다.

삼성전자는 이 제품에서 기억소자(셀), 각 낸드 층의 두께를 최소화해 집적도를 이전 세대보다 약 1.5배 증가시켰다고 설명했다. 또한 쓰임새가 적었던 더미 채널 홀을 제거하는 기술로 셀의 평면적을 줄였다. 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피, 수명 연장 기술도 적용했다.

삼성전자는 이번 제품에서 낸드 공정의 핵심인 채널 홀 에칭 기술을 개선했다. 채널 홀 에칭이란 웨이퍼 위에 얇은 막을 순차적으로 쌓은 다음 정보를 저장할 수 있는 구멍을 뚫는 기술이다. 한 번에 깊은 구멍을 뚫을수록 생산 효율이 증가하기 때문에 고용량 낸드 제조에서 중요한 기술로 꼽힌다.

삼성전자는 9세대 제품에 채널 홀 에칭을 두 번에 나눠 진행하는 ‘더블 스택’ 구조를 적용했다. 삼성전자의 라이벌 회사들은 200단 후반 낸드에서는 세 번에 나눠 에칭하는 트리플 스택 구조를 선택하고 있다. 더블 스택 기술을 적용하면 생산 시간과 원자재 비용을 줄여 가격경쟁력을 높일 수 있다.

아울러 이번 신제품에는 차세대 낸드 인터페이스인 토글 5.1이 적용돼 전작인 8세대 V낸드보다 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 낸다. 저전력 설계 기술을 탑재하면서 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다.

한편 삼성전자는 지난해 4분기 세계 낸드 시장에서 36.6%의 점유율로 1위를 차지했다. 제조 기술을 고도화한 9세대 V낸드로 올해도 시장점유율을 수성할 계획이다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “9세대 V낸드로 인공지능(AI) 시대에 대응하는 초고속·초고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장을 선도해나갈 것”이라고 말했다.