파운드리 반도체 기업 SK키파운드리가 고전압직접회로(HVIC) 공정 기술을 출시하고 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대했다고 24일 밝혔다.

HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS, 650V 이상의 부트스트랩 다이오드 등을 하나의 공정에 구현한다. 고객이 한 개의 칩에 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있어 외장 소자를 줄일 수 있다. 여기 포함된 25V 고전압 소자나 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. nLDMOS는 고전압 회로와 저전압 제어 회로를 하나의 칩에 통합할 수 있게 해주는 전력반도체 소자 기술이다.

SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 650~1200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 됐다고 말했다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용에 적합할 뿐 아니라, 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로도 적용될 수 다는 게 회사 측 설명이다.

HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 마이크로컨트롤러유닛(MCU)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET 또는 IGBT등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있다. MOSFET과 IGBT는 모두 전압으로 제어되는 빠른 스위칭이 가능한 전력반도체다. 주로 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 탑재된다.

이동재 SK키파운드리 대표는 "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 말했다.