곽노정 SK하이닉스 사장 "16단 HBM3E 세계 최초 개발…내년 초 샘플 공급"

AI 서밋 기조연설서 밝혀
HBM 리더십 강화 의지 강조
학습 18%·추론 32% 성능 강화

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 4일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘SK AI 서밋 2024’에서 ‘차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로’를 주제로 기조연설을 진행하고 있다. 사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스(000660)가 5세대 고대역폭메모리인 'HBM3E'의 16단 제품 출시를 세계 최초로 공식화했다. 지난달 HBM3E 12단 제품 양산을 시작한 데 이어 단수를 높인 신제품 양산을 예고하면서 HBM 시장에서 리더십을 확대하겠다는 계획이다.


곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 사장은 4일 서울 강남구 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 기조연설에서 “현재 세계 최초로 개발, 양산하고 있는 ‘월드 퍼스트(World First)’ 제품을 다양하게 준비 중”이라며 HBM3E 16단 제품을 소개했다.


곽 사장은 “차세대 제품인 HBM4부터 16단 제품 시장이 본격적으로 열리는 것에 대비해 기술 안정성을 확보하고자 48기가바이트(GB) 16단 HBM3E를 개발 중”이라며 “내년 초 고객에게 샘플을 제공할 예정”이라고 말했다.


인공지능(AI) 업계는 데이터 폭증에 따라 더 높은 단수의 HBM을 요구하고 있다. 메모리 업계가 현재까지 활용되고 있는 8·12단 HBM을 넘어 16단 개발에 주력하는 이유다. 같은 세대의 제품이어도 단수가 높아질수록 제품의 성능은 좋아진다. SK하이닉스는 올 2월 미국에서 열린 ISSCC 학회에서 16단 HBM3E에 대한 논문을 발표하는 등 16단 제품 개발을 지속해왔다.


곽 사장은 16단 HBM3E 제품과 관련해 “내부 분석 결과 12단 제품 대비 학습 분야에서 18%, 추론 분야에서는 32% 성능이 향상됐다”고 설명했다. 16단 HBM3E 생산 공정으로는 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정이 활용될 계획이다. SK하이닉스는 백업 공정으로 하이브리드 본딩 기술도 함께 개발하고 있다.


SK하이닉스는 커스텀 HBM 등 HBM 영역에서 신제품을 연달아 먼저 개발해 시장 지배력을 더욱 공고히 한다는 전략이다. 2025~2027년 커스텀 HBM4E, 2028~2030년 커스텀 HBM5와 HBM5E 개발이 예정돼 있다. 곽 사장은 “HBM4부터 TSMC와 로직다이 관련 원팀파트너십을 기반으로 최고의 경쟁력 갖춘 제품을 공급할 것”이라며 “커스텀 HBM은 용량과 대역폭, 부가 기능 등 고객의 다양한 요구를 반영해 성능을 최적화 했다”고 강조했다.


미래를 이끌 중장기 제품으로는 CXL, 초고용량 QLC eSSD 등을 제시했다. 곽 사장은 "저전력 고성능을 강점으로 향후 PC와 데이터센터에 활용될 것으로 전망되는 LPCAMM2 모듈을 개발하고 있으며 1cnm 기반 LPDDR5와 LPDDR6도 개발 중"이라며 "낸드에서는 PCIe 6세대 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 고용량 쿼드러플레벨셀(QLC) 기반 eSSD, UFS 5.0을 준비하고 있다"고 했다.


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