김춘환 SK하이닉스 부사장, 은탑산업훈장 수상…15년 HBM 기반기술 연구

HBM 핵심 TSV기술 연구 주도
선단 D램에 EUV 도입해 성과

김춘환 SK하이닉스 연구개발(R&D) 공정담당 부사장. 사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스는 김춘환 연구개발(R&D) 공정담당 부사장이 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다고 2일 밝혔다.


시상식은 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 2024 산업기술 R&D 종합대전 행사에서 진행됐다. R&D대전은 국내 R&D 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상 시상식이 진행된다.


1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끈 주역이다. 특히 고대역폭메모리(HBM)의 핵심인 TSV 요소기술을 개발하는 데 크게 기여했다. 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며 HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.


또한 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 극자외선(EUV) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 하이케이메탈게이트(HKMG) 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다. 낸드 분야 혁신에도 기여했다. 게이트 W 풀필(Gate W Full Fill), 웨이퍼 본딩 기술 등 초고층 낸드를 생산하는 데 필요한 핵심 요소기술을 확보했다.


김 부사장은 “1b D램 기반의 HBM3E는 선단기술과 TSV 노하우를 집대성한 결과물”이라며 “R&D 조직은 도전 정신을 바탕으로 한계를 정면으로 돌파하며 원가 경쟁력을 갖춘 기술을 개발하고 있고 여기에 원팀 문화가 더해지며 시너지 효과가 창출됐다”고 말했다.


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