◎삼성「제1·2·3라인」 전격 교체/현대전용라인 구축작업 박차/LG연내 주문형반도체 양산D램 등 메모리반도체생산을 감축키로한 업체들이 생산시설을 비메모리시설로 전환하는 작업을 활발히 추진하고 있다.
10일 관련업계에 따르면 삼성전자·현대전자·LG반도체 등 반도체 3사는 비메모리사업을 강화하기 위해 기존 메모리생산라인을 비메모리제품전용생산라인으로 교체하는 작업을 적극 추진하고 있다.
삼성전자는 지난해말 64KD램 및 256KD램 등 제품을 생산해온 제1라인을 베모리일관가공생산(FAB)의 최종단계인 금속배선보호막형성라인으로 교체했으며 이어 제 2,3라인도 마이크로제품과 주문형반도체전용생산라인으로 바꿨다. 삼성전자는 올 상반기중으로 3백억원을 투입해 기흥 제4, 5라인에 메모리와 비메모리를 혼용한 라인을 구축해 알파칩과 복합칩을 생산하는 라인을 구축할 방침이다.
현대전자도 메모리생산조정을 계기로 그동안 자체적으로 추진해온 비메모리제품개발과 생산작업을 보류하고 미국현지법인인 심비오스사제품을 국내에서 생산키로하고 전용라인구축작업을 벌이고 있다. 현대전자는 기존 4메가D램과 16메가D램등 초기세대제품을 생산해온 제3, 4라인을 상반기까지 바꿔 3,4층금속배선구조의 고성능통신용 및 주변기기용집적회로와 각종 주문형반도체 등을 하반기부터 생산할 계획이다.
LG반도체는 장기적으로 구미공장을 비메모리전용공장으로 전환한다는 방침 아래 지난해 노후화된 4인치웨이퍼가공라인을 철거하고 그 자리에 첨단 비메모리제품인 미디어프로세서생산라인을 구축할 계획이다.
LG는 이와함께 기존 5, 6인치 생산라인외에도 상반기중으로 1백억원이상을 투자해 마이크로칩과 주문형반도체제품의 양산체제를 구축한다는 방침이다.<김희중>
