삼성, 생산비중 40%…하이닉스도 생산량 늘려D램 시장이 256메가 체제로 급속하게 전환하고 있다. 특히 삼성전자의 경우 256메가D램 생산비중이지난달말 업계 처음으로 128메가를 넘어섬에 따라 시장 주도권을 확보하는 것은 물론, 원가경쟁력 향상에 따라 수익성도 한단계 끌어올릴 수 있을 것으로 보인다.
3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 1월말까지도 전체 D램생산에서 256메가 D램과 128메가의 비중이 비슷한 수준을 기록했으나 2월말 256메가 D램의 비중이 40%를 차지, 38%에 그친 128메가 D램을 넘어섰다. 삼성의 256메가 생산량 증대는 다른 경쟁업체보다 최장 6개월 가량 빠른 것이다.
삼성은 앞으로 256메가의 재고 부족 현상이 깊어짐에 따라 이 품목의 생산을 가속화, 상반기안에 256메가의 비중을 절반이상으로 높일 방침이다.
하이닉스도 지난해말 7~8% 수준에 불과했던 256메가D램의 생산 비중이 올 1분기 평균으로 15~20%까지 두배 이상 올라설 것으로 예상된다.
하이닉스는 256메가의 생산량 확대를 위해 지난달말부터 미국 유진공장도 본격 재가동에 들어간 상황이다.
업계에 이처럼 256메가의 생산량을 늘림에 따라 256메가와 128메가의 '비트크로스(Bit Crossㆍ신제품 가격이 이전 주력제품가격을 따라잡는 현상)'도 앞당겨질 전망이다.
아직까지는 128메가D램 두개 값이 256메가 한 개 값에 못미치고 있지만 이르면 이달안에 256메가 한 개 값이 싸져, 128메가보다 256메가D램을 찾는 사람이 많아진다는 것.
이 경우 256메가D램에 대한 수요는 더욱 많아지게 되고, D램 시장내 세대교체도 더욱 빨라지게 된다.
256메가D램의 생산량 증대와 함께 차세대 생산공정 기술 도입도 빨라질 전망이다.
삼성전자는 이미 지난달말 업계 처음으로 12인치(300mm)웨이퍼 양산라인에서 256메가 D램의 본격적인 생산에 들어갔으며, 12인치 웨이퍼 생산라인과 0.12㎛(미크론) 공정기술 등을 위한 차세대 투자도 조기 집행키로 했다.
또 차세대 초미세공정기술 도입의 가속화를 통해 0.12㎛ 공정기술체제로 전환, 연말까지 0.12㎛ 이하 공정을 80% 수준까지 높일 계획이다.
이어 2003년부터는 12인치 양산라인에서 0.10㎛급의 차세대 극초미세 공정기술을 적용한 512메가 제품도 본격 양산해 차세대 반도체시장을 주도해 나갈 예정이다.
업계 관계자는 "하반기부터 반도체시장은 '128메가ㆍ200mm'에서 '256메가ㆍ300mm'시장으로 대세가 기울어질 전망"이라며 "기술 전환에 따른 업체간 빅뱅 현상도 가속화할 것으로 보인다"고 말했다.
김영기기자
